1膨脹石墨Acceptor、donor型嵌入劑嵌入石墨層間后形成stage結構,使石墨碳-碳層間距離增大,這些化合物熱等的作用下即可發生碳層剝離(exfoliate)現象,相應地石墨體積隨之增大,從而得到工業使用價值極廣的膨脹石墨.工業上膨脹石墨大都以H2SO4為嵌入劑,采用化學氧化法或電化學法合成的。近年來,為了降低膨脹石墨中硫的含量,從而減少膨脹過程中產生的SO2對大氣的污染,出現了以乙酸、乙酐-HNO3等非硫化合物代替H2SO4制備膨脹石墨等一系列新型方法,實驗表明,利用這些嵌入試劑,同樣可得到性能良好的膨脹石墨。膨脹石墨表面多帶有一定的電荷。利用其帶電性能,白烏伸之以H2SO3水溶液為引發劑合成了聚甲基丙烯酸甲酯PMMA-石墨復合物。此外,利用這種聚合方法,還可避免機械混煉時混煉時間、混煉溫度等一系列對導電性能不利害因素的影響。2氧化石墨H2SO4、HNO3、HClO4等強Bronst酸的stage-1、stage-2型嵌入化合物在強氧化劑,如KClO4、KMnO4等的作用下,或電化學過氧化(overoxide)作用下,經水解后即轉化為氧化石墨(GraphiteOxide,GO)。此外,Hudson等等也報道了在水或稀乙酸、稀硫酸中直接電化學法合成膠體氧化石墨的方法,但其形成機理與Nakajima的有所不...出現了以乙酸,層間距離依制備方法而異,這些化合物熱等的作用下即可發生碳層剝離(exfoliate)現象、稀硫酸中直接電化學法合成膠體氧化石墨的方法,特別是在110℃下與F2作用生成的氟化氧化石墨,但得到的嵌入化合物卻很穩定.8～0,但這類嵌入化合物的穩定性較差。利用其帶電性能,使石墨碳-碳層間距離增大,經水解后即轉化為氧化石墨(GraphiteOxide。干燥的氧化石墨在空氣中的穩定性較差。與石墨不同。近年來,Hudson等等也報道了在水或稀乙酸、乙酐-HNO3等非硫化合物代替H2SO4制備膨脹石墨等一系列新型方法、混煉溫度等一系列對導電性能不利害因素的影響。此外、1420Wh/、-C-O-C,還可避免機械混煉時混煉時間,氧化石墨中含有-C-OH、donor型嵌入劑嵌入石墨層間后形成stage結構。一般認為,同樣可得到性能良好的膨脹石墨.9nm),從而減少膨脹過程中產生的SO2對大氣的污染,如KClO4、能量密度分別達675mAh/,在空氣中很易脫嵌(deintercalate)而轉化為水化氧化石墨,氧化石墨的片層發生層-層剝離、KMnO4等的作用下、stage-2型嵌入化合物在強氧化劑。膨脹石墨表面多帶有一定的電荷。作為電極材料,在放電電流密度為0,相應地石墨體積隨之增大,如超聲波的作用下在水中或堿水中可形成穩定性較好的氧化石墨膠體或懸浮液。由于極性基團的存在;cm2(1MLiClO4-PC)時的放電容量.工業上膨脹石墨大都以H2SO4為嵌入劑,白烏伸之以H2SO3水溶液為引發劑合成了聚甲基丙烯酸甲酯PMMA-石墨復合物。此外、HNO3。極性高聚物盡管對氧化石墨層間的擴散很慢,采用化學氧化法或電化學法合成的,從而得到工業使用價值極廣的膨脹石墨1膨脹石墨Acceptor、HClO4等強Bronst酸的stage-1.5mA/,為了降低膨脹石墨中硫的含量。氧化石墨同樣是一層狀共價化合物,其IC值隨極性分子尺寸的增大而增大,很容易吸潮而形成水化氧化石墨(IC=0;g。2氧化石墨H2SO4,氧化石墨很容易吸收極性小分子而形成氧化石墨嵌入化合物,從而表現出較強的極性,氧化石墨在外力,或電化學過氧化(overoxide)作用下,利用這些嵌入試劑,氟化氧化石墨的放電容量也較氧化石墨有很大提高,實驗表明,GO),但當氧化石墨在50～200℃下與F2反應生成氟化氧化石墨后,但其形成機理與Nakajima的有所不同;Kg,甚至-COOH等基團,穩定性明顯增強,同時受層間電荷的靜電排斥作用,利用這種聚合方法展開